В России создаётся стратегический центр микроэлектроники: от 350 нм до 28 нм
В России стартует создание стратегического центра микроэлектроники, ориентированного на выпуск чипов с топологией от 350 нм до 28 нм. Об этом сообщается в материалах iXBT.
Центр будет заниматься как разработкой, так и производством микросхем, охватывая широкий диапазон технологических норм. Диапазон от 350 нм до 28 нм позволяет выпускать чипы для различных сфер: от простых контроллеров до более сложных систем на кристалле.
Этот шаг рассматривается как часть стратегии по снижению зависимости от зарубежных поставок микроэлектроники. В условиях глобальных ограничений Россия стремится создать собственные производственные мощности, способные обеспечить базовые потребности промышленности и оборонного сектора.
По данным источника, проект предполагает концентрацию ресурсов и экспертизы для развития отечественных технологий. Упор делается на практическое внедрение разработок и подготовку кадров.
Создание такого центра — долгосрочная инвестиция в технологический суверенитет. Ожидается, что он станет платформой для дальнейшего освоения более тонких топологических норм в перспективе.
Ранее в России уже были анонсированы проекты по производству чипов по техпроцессам 28 нм и менее. Новый центр объединит усилия научных и производственных организаций, чтобы ускорить импортозамещение в критически важной отрасли.
