185 Гц, 9000 мА·ч, 200 Мп: инсайдер раскрыл характеристики флагмана на Snapdragon 8 Elite Gen 5

185 Гц, 9000 мА·ч, 200 Мп: инсайдер раскрыл характеристики флагмана на Snapdragon 8 Elite Gen 5

Известный инсайдер Digital Chat Station опубликовал подробности о новом флагманском смартфоне. Устройство, по его данным, получит один из самых ёмких аккумуляторов в классе — около 9000 мА·ч — и рекордную частоту обновления экрана 185 Гц.

Аппарат будет построен на новейшей однокристальной системе Snapdragon 8 Elite Gen 5, дополненной фирменным чипом. Дисплей — плоский, с закруглёнными углами и высоким разрешением. Частота обновления 185 Гц значительно превосходит стандартные для флагманов 120–144 Гц.

Особое внимание уделено камере. Основной модуль получит 200-мегапиксельный датчик большого формата, а телефото — 50-мегапиксельный перископический объектив. Такая конфигурация обещает высокое качество снимков при любом освещении.

Ёмкость аккумулятора составит примерно 9000 мА·ч с поддержкой 100-ваттной проводной и беспроводной зарядки. Это один из самых крупных показателей среди современных смартфонов, что должно обеспечить длительную автономность.

Среди других особенностей — самые мощные в своём классе стереодинамики по версии источника, крупный вибромотор, ультразвуковой 3D-сканер отпечатков пальцев и корпус с защитой IP68/IP69 от воды и пыли. Название устройства и дата выхода пока не раскрываются.