Samsung готовит SSD 990 без DRAM-кэша — быстрее и дешевле
Компания Samsung готовит к выпуску новый твердотельный накопитель из линейки 990, который лишится собственного DRAM-кэша. Вместо него будет применяться технология HMB (Host Memory Buffer), использующая часть оперативной памяти компьютера для кэширования данных.
По данным, опубликованным на сайте Samsung Canada, а затем удалённым, новинка получит интерфейс PCIe 4.0 NVMe и фирменный контроллер Samsung в сочетании с памятью V-NAND. Линейка будет представлена версиями на 1 и 2 ТБ.
Модель на 1 ТБ обеспечивает скорость последовательного чтения до 7150 МБ/с и записи до 6450 МБ/с. Версия на 2 ТБ немного быстрее в чтении — до 7250 МБ/с при той же скорости записи. Производительность достигает 850 тыс. IOPS при чтении и 1,2 млн IOPS при записи.
В отличие от старших моделей 990 EVO и 990 PRO, новый SSD станет более доступным решением. Однако он уступает 990 PRO по ресурсу записи: для версии на 1 ТБ заявлено 400 TBW, для 2 ТБ — 800 TBW. Гарантия составит 3 года вместо расширенного срока у старших накопителей.
Samsung пока не объявила дату начала продаж и стоимость новинки. После публикации характеристики были удалены с официального сайта, но SSD уже появился в каталогах некоторых ретейлеров.
