Китайская Garen Semiconductor запустила серийный выпуск 8-дюймовых пластин из оксида галлия
Китайская компания Hangzhou Garen Semiconductor объявила о запуске первой в мире линии серийного выпуска гомоэпитаксиальных пластин из оксида галлия диаметром 6 и 8 дюймов. Это событие ознаменовало переход к массовому производству силовой электроники нового поколения.
По заявлению компании, производство уже вышло на стабильный серийный уровень. Параллельно начались поставки 6-дюймовых пластин ведущим разработчикам микросхем. С рядом клиентов заключены долгосрочные контракты.
Оксид галлия считается одним из самых перспективных материалов для силовых полупроводников. Он позволяет создавать компоненты, способные работать при более высоких напряжениях и температурах по сравнению с кремнием. Такие решения востребованы в электромобилях, высоковольтных сетях, системах хранения энергии, солнечной энергетике и телекоммуникационном оборудовании.
До сих пор основным ограничением отрасли оставался размер пластин: большинство изделий из оксида галлия выпускались на подложках 2–4 дюйма, что сдерживало масштабирование. Переход на форматы 6 и 8 дюймов существенно повышает выход годных чипов и снижает себестоимость.
Garen Semiconductor разработала собственную технологию выращивания монокристаллов и оптимизировала процесс эпитаксии. Это позволило повысить производительность, сократить расход иридия и снизить стоимость подложек более чем на 80%. По данным компании, 8-дюймовая пластина даёт примерно в четыре раза больше микросхем по сравнению с 4-дюймовой.
Новый материал открывает перспективы для создания более компактных и эффективных силовых модулей. В игровой индустрии такие компоненты могут применяться в блоках питания и системах охлаждения высокопроизводительных ПК и серверов.
