Keysight и WIN Semiconductors создали платформу для точного проектирования GaN-чипов с первого раза
Компании Keysight Technologies и WIN Semiconductors объявили о запуске совместной платформы для проектирования радиочастотных микросхем на основе нитрида галлия (GaN). Новая система призвана минимизировать ошибки при разработке и обеспечить выпуск чипов с первого раза.
Платформа объединяет в единой среде моделирование микросхем, трёхмерную проверку топологии, проектирование печатных плат и тестовых модулей. Она интегрирована с набором средств проектирования WIN NP 120P (PDK) и программным обеспечением Keysight Advanced Design System (ADS), широко используемым для высокочастотной электроники.
Основная цель — снизить риск неудачного вывода готового проекта в производство. Обычно при ошибках в кристалле разработчикам приходится вносить изменения и запускать повторное производство, что вызывает задержки на недели и дополнительные расходы. Новая платформа позволяет заранее моделировать поведение всей связки «кристалл — корпус — печатная плата — измерительное оборудование».
Решение ориентировано на разработчиков GaN-микросхем для базовых станций 5G, Wi-Fi-оборудования, спутниковых систем связи и радиолокации. По оценкам компаний, мировой рынок таких чипов к 2031 году может достичь 2,77 млрд долларов.
Сотрудничество Keysight и WIN Semiconductors демонстрирует тенденцию к интеграции средств разработки и производства, что ускоряет вывод сложных радиочастотных устройств на рынок.
